规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3L-06
仓库库存编号：
IPP80N06S3L-06-ND
别名：IPP80N06S3L06X
IPP80N06S3L06XK
SP000088006
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 105W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3L-08
仓库库存编号：
IPP80N06S3L-08IN-ND
别名：IPP80N06S3L-08-ND
IPP80N06S3L-08IN
IPP80N06S3L08X
IPP80N06S3L08XK
SP000088127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB77N06S2-12
仓库库存编号：
SPB77N06S2-12-ND
别名：SP000013587
SPB77N06S212T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2-03
仓库库存编号：
SPB80N03S2-03-ND
别名：SP000016251
SPB80N03S203T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号：
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名：SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
SPB80N03S203GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-03-ND
别名：SP000016252
SPB80N03S2L03T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-04
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-04-ND
别名：SP000013901
SPB80N03S2L04T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-04 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-04 G-ND
别名：SP000200143
SPB80N03S2L04GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-05 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-05 G-ND
别名：SP000200144
SPB80N03S2L05GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名：SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N04S2-04
仓库库存编号：
SPB80N04S2-04-ND
别名：SP000016353
SPB80N04S204T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N04S2-H4
仓库库存编号：
SPB80N04S2-H4-ND
别名：SP000016358
SPB80N04S2H4T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB80N04S2L-03-ND
别名：SP000016354
SPB80N04S2L03T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S08ATMA1
仓库库存编号：
SPB80N06S08ATMA1TR-ND
别名：SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-05
仓库库存编号：
SPB80N06S2-05-ND
别名：SP000016351
SPB80N06S205T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-07
仓库库存编号：
SPB80N06S2-07-ND
别名：SP000013578
SPB80N06S207T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-08
仓库库存编号：
SPB80N06S2-08-ND
别名：SP000016356
SPB80N06S208T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-09
仓库库存编号：
SPB80N06S2-09-ND
别名：SP000013581
SPB80N06S209T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-H5
仓库库存编号：
SPB80N06S2-H5-ND
别名：SP000013795
SPB80N06S2H5T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-05-ND
别名：SP000016352
SPB80N06S2L05T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-06
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-06-ND
别名：SP000013577
SPB80N06S2L06T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-07
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-07-ND
别名：SP000016357
SPB80N06S2L07T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-09
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-09-ND
别名：SP000013582
SPB80N06S2L09T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-11-ND
别名：SP000013586
SPB80N06S2L11T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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