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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PLG-E1B-AYCT
  NP80N04PLGE1BAY
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PUG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PUG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PUG-E1B-AYCT
  NP80N04PUGE1BAY
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N06PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N06PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N06PLG-E1B-AYCT
  NP80N06PLGE1BAY
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB8132
  仓库库存编号：FDB8132-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8160
  仓库库存编号：FDB8160-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5500
  仓库库存编号：FDP5500-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB8132_F085
  仓库库存编号：FDB8132_F085CT-ND
  别名：FDB8132_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-AZ-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-Z-E1-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-Z-E1-AZ-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
  
  型号：BTS282Z E3180A
  仓库库存编号：BTS282ZE3180AINCT-ND
  别名：BTS282ZE3180AINCT
  BTS282ZE3180ATINCT
  BTS282ZE3180ATINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI04N03LA
  仓库库存编号：IPI04N03LAIN-ND
  别名：IPI04N03LAIN
  IPI04N03LAX
  IPI04N03LAX-ND
  SP000014355
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP80P06PBKSA1
  仓库库存编号：SPP80P06PBKSA1-ND
  别名：SP000012840
  SPP80P06P
  SPP80P06PIN
  SPP80P06PIN-ND
  SPP80P06PX
  SPP80P06PXK
  SPP80P06PXTIN
  SPP80P06PXTIN-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N03S2L-06IN-ND
  别名：SP000014061
  SPP80N03S2L-06IN
  SPP80N03S2L-06XTIN
  SPP80N03S2L-06XTIN-ND
  SPP80N03S2L06X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP03N03LA
  仓库库存编号：IPP03N03LAIN-ND
  别名：IPP03N03LAIN
  IPP03N03LAX
  IPP03N03LAXTIN
  IPP03N03LAXTIN-ND
  SP000014035
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP05N03LA
  仓库库存编号：IPP05N03LAIN-ND
  别名：IPP05N03LAIN
  IPP05N03LAX
  IPP05N03LAXTIN
  IPP05N03LAXTIN-ND
  SP000014020
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP04N03LA
  仓库库存编号：IPP04N03LAIN-ND
  别名：IPP04N03LAIN
  IPP04N03LAX
  IPP04N03LAXTIN
  IPP04N03LAXTIN-ND
  SP000014353
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LA
  仓库库存编号：IPB05N03LAINCT-ND
  别名：IPB05N03LAINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N03S2L05INTR-ND
  别名：SPB80N03S2L05INTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06INCT-ND
  别名：SPB80N03S2L06INCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L05T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L05T-ND
  别名：SP000016255
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L06T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06T-ND
  别名：SP000016264
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LAT
  仓库库存编号：IPB05N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB05N03LAXTINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 263W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PHW80NQ10T,127
  仓库库存编号：PHW80NQ10T,127-ND
  别名：934055695127
  PHW80NQ10T
  PHW80NQ10T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7
  
  型号：BTS282ZAKSA1
  仓库库存编号：BTS282ZAKSA1-ND
  别名：BTS282Z
  BTS282Z-ND
  BTS282ZXK
  SP000399016
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-230
  
  型号：BTS282Z E3230
  仓库库存编号：BTS282Z E3230-ND
  别名：BTS282ZE3230
  BTS282ZE3230AKSA1
  BTS282ZE3230NK
  SP000012357
  SP000457996
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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