规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N12F7
仓库库存编号：
STL100N12F7-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R6-40E,118
仓库库存编号：
1727-1065-1-ND
别名：1727-1065-1
568-10175-1
568-10175-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN1R8-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7112-1-ND
别名：1727-7112-1
568-9482-1
568-9482-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN4R6-60PS,127
仓库库存编号：
1727-4663-ND
别名：1727-4663
568-5780
568-5780-5
568-5780-5-ND
568-5780-ND
934064296127
PSMN4R6-60PS,127-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
型号：
DMTH6004SCTBQ-13
仓库库存编号：
DMTH6004SCTBQ-13DICT-ND
别名：DMTH6004SCTBQ-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta）, 136W（Tc） TO-220-3
型号：
DMTH6004SCT
仓库库存编号：
DMTH6004SCTDI-5-ND
别名：DMTH6004SCTDI-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 395W（Tc） TO-247AC
型号：
SUG90090E-GE3
仓库库存编号：
SUG90090E-GE3CT-ND
别名：SUG90090E-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
型号：
SUG80050E-GE3
仓库库存编号：
SUG80050E-GE3CT-ND
别名：SUG80050E-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
型号：
BUK663R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-5522-1-ND
别名：1727-5522-1
568-7001-1
568-7001-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH3002LPS-13
仓库库存编号：
DMTH3002LPS-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA90DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA90DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA90DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA90DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
型号：
DMTH4004LK3-13
仓库库存编号：
DMTH4004LK3-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMT3002LPS-13
仓库库存编号：
DMT3002LPS-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） I2PAK
型号：
BUK6E3R4-40C,127
仓库库存编号：
1727-5889-ND
别名：1727-5889
568-7506-5
568-7506-5-ND
934064224127
BUK6E3R4-40C,127-ND
BUK6E3R440C127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA60DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA60DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N02-3M5L_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87030T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87030T-U/MFCT-ND
别名：MCP87030T-U/MFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N03-3M4_GE3
仓库库存编号：
SQD100N03-3M4_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N04-3M6_GE3
仓库库存编号：
SQD100N04-3M6_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N04-3M6L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N04-3M6L_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N03-3M2L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR638DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR638DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD9407L_F085
仓库库存编号：
FDD9407L_F085CT-ND
别名：FDD9407L_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
型号：
DMTH4004SK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH4004SK3Q-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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