规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名：IPB100N04S4H2ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R0-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7113-1-ND
别名：1727-7113-1
568-9483-1
568-9483-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC040N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC040N08NS5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK763R9-60E,118
仓库库存编号：
1727-1066-1-ND
别名：1727-1066-1
568-10176-1
568-10176-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3L04XK
仓库库存编号：
IPI100N06S3L04XK-ND
别名：IPI100N06S3L-04
IPI100N06S3L-04-ND
IPI100N06S3L-04IN
IPI100N06S3L-04IN-ND
IPI100N06S3L04X
SP000102211
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN7R0-100BS,118
仓库库存编号：
1727-7214-1-ND
别名：1727-7214-1
568-9705-1
568-9705-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R2-40BS,118
仓库库存编号：
1727-7118-1-ND
别名：1727-7118-1
568-9488-1
568-9488-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N10S305AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N10S305AKSA1-ND
别名：IPP100N10S3-05
IPP100N10S3-05-ND
IPP100N10S305
SP000407126
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN3R3-40YS,115
仓库库存编号：
1727-4633-1-ND
别名：1727-4633-1
568-5590-1
568-5590-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN5R5-60YS,115
仓库库存编号：
1727-4284-1-ND
别名：1727-4284-1
568-4973-1
568-4973-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R0-30YLE,115
仓库库存编号：
1727-1130-1-ND
别名：1727-1130-1
568-10285-1
568-10285-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R0-40YLDX
仓库库存编号：
1727-1856-1-ND
别名：1727-1856-1
568-11552-1
568-11552-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 176W（Tc） TO-220
型号：
STP100N8F6
仓库库存编号：
497-15553-5-ND
别名：497-15553-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264
型号：
FDL100N50F
仓库库存编号：
FDL100N50F-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 349W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R9-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1858-1-ND
别名：1727-1858-1
568-11554-1
568-11554-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N06L3 G
仓库库存编号：
IPD031N06L3 GCT-ND
别名：IPD031N06L3 GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC035N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC035N10NS5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7085TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7085TRPBFCT-ND
别名：IRFH7085TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1407STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1407STRLPBFCT-ND
别名：IRF1407STRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
型号：
DMTH6004SK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH6004SK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH6004SK3Q-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 114W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN3R4-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7115-1-ND
别名：1727-7115-1
568-9485-1
568-9485-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 100A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR626DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR626DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIR626DP-T1-RE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R7-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7114-1-ND
别名：1727-7114-1
568-9484-1
568-9484-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R8-40BS,118
仓库库存编号：
1727-7119-1-ND
别名：1727-7119-1
568-9489-1
568-9489-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 100A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR680DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR680DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIR680DP-T1-RE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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