规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
型号：
DMTH4004SCTBQ-13
仓库库存编号：
DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
别名：DMTH4004SCTBQ-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
型号：
TSM100N06CZ C0G
仓库库存编号：
TSM100N06CZ C0G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN2R7-30PL,127
仓库库存编号：
1727-4389-ND
别名：1727-4389
568-5235
568-5235-5
568-5235-5-ND
568-5235-ND
934064005127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 87W（Tc） TO-220
型号：
TK3R1E04PL,S1X
仓库库存编号：
TK3R1E04PLS1X-ND
别名：TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 113W（Tc） TO-220-3
型号：
DMT6004SCT
仓库库存编号：
DMT6004SCTDI-5-ND
别名：DMT6004SCTDI-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E3R1-40E,127
仓库库存编号：
1727-7244-ND
别名：1727-7244
568-9852-5
568-9852-5-ND
934066417127
BUK7E3R140E127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN7R0-100ES,127
仓库库存编号：
1727-5897-ND
别名：1727-5897
568-7516-5
568-7516-5-ND
934064292127
PSMN7R0-100ES,127-ND
PSMN7R0100ES127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI045N10N3 G
仓库库存编号：
IPI045N10N3 G-ND
别名：IPI045N10N3G
IPI045N10N3GXKSA1
SP000482424
SP000683068
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
型号：
IXFK100N65X2
仓库库存编号：
IXFK100N65X2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 445W（Tc） DE475
型号：
IXFZ140N25T
仓库库存编号：
IXFZ140N25T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87050T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87050T-U/MFCT-ND
别名：MCP87050T-U/MFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
型号：
DMTH4004SCTB-13
仓库库存编号：
DMTH4004SCTB-13DICT-ND
别名：DMTH4004SCTB-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB100N6F7
仓库库存编号：
497-15894-1-ND
别名：497-15894-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
型号：
DMTH6004SCTB-13
仓库库存编号：
DMTH6004SCTB-13DICT-ND
别名：DMTH6004SCTB-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD9407_F085
仓库库存编号：
FDD9407_F085CT-ND
别名：FDD9407_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 88W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R5-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4164-1-ND
别名：1727-4164-1
568-4680-1
568-4680-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W （Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R0-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2498-1-ND
别名：1727-2498-1
568-12930-1
568-12930-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 135W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R7-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2497-1-ND
别名：1727-2497-1
568-12929-1
568-12929-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5295-1-ND
别名：1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
型号：
BUK664R6-40C,118
仓库库存编号：
1727-5526-1-ND
别名：1727-5526-1
568-7005-1
568-7005-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y8R5-80EX
仓库库存编号：
1727-1127-1-ND
别名：1727-1127-1
568-10282-1
568-10282-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R0-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1859-1-ND
别名：1727-1859-1
568-11555-1
568-11555-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S3-03
仓库库存编号：
IPB100N04S303ATMA1CT-ND
别名：IPB100N04S3-03CT
IPB100N04S3-03CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
型号：
BUK662R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-5520-1-ND
别名：1727-5520-1
568-6999-1
568-6999-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R8-40YLC,115
仓库库存编号：
1727-1052-1-ND
别名：1727-1052-1
568-10156-1
568-10156-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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