规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2925U,115
仓库库存编号：
1727-3121-1-ND
别名：1727-3121-1
568-2344-1
568-2344-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名：IPD100N04S402ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC034N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC034N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC034N06NSATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S203T
仓库库存编号：
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名：SPB100N03S203XTINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRF40H210
仓库库存编号：
IRF40H210CT-ND
别名：IRF40H210CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S51R2ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S51R2ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC030N08NS5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK963R2-40B,118
仓库库存编号：
1727-5263-1-ND
别名：1727-5263-1
568-6588-1
568-6588-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R0-40C,118
仓库库存编号：
1727-5250-1-ND
别名：1727-5250-1
568-6574-1
568-6574-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC037N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC037N08NS5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA4
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA4CT-ND
别名：IPB100N04S204ATMA4CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S205ATMA4
仓库库存编号：
IPB100N06S205ATMA4CT-ND
别名：IPB100N06S205ATMA4CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC036NE7NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC036NE7NS3GATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB100N12S305ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N12S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N12S305ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX100N65X2
仓库库存编号：
IXFX100N65X2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18503KCS
仓库库存编号：
296-34974-5-ND
别名：296-34974-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP100N04T2
仓库库存编号：
IXTP100N04T2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK100A06N1,S4X
仓库库存编号：
TK100A06N1S4X-ND
别名：TK100A06N1,S4X(S
TK100A06N1,S4X-ND
TK100A06N1S4X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK100A08N1,S4X
仓库库存编号：
TK100A08N1S4X-ND
别名：TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP030N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP030N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP034NE7N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP034NE7N3GXKSA1-ND
别名：IPP034NE7N3 G
IPP034NE7N3 G-ND
IPP034NE7N3G
SP000641724
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP076N12N3 G
仓库库存编号：
IPP076N12N3 G-ND
别名：IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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