规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3W（Ta），78W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL20N6F7
仓库库存编号：
497-16117-1-ND
别名：497-16117-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16342Q5A
仓库库存编号：
296-30314-1-ND
别名：296-30314-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMTH6004SK3-13
仓库库存编号：
DMTH6004SK3-13DICT-ND
别名：DMTH6004SK3-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87022T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87022T-U/MFCT-ND
别名：MCP87022T-U/MFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87018T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87018T-U/MFCT-ND
别名：MCP87018T-U/MFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 78W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6144
仓库库存编号：
800-3746-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252
型号：
DMTH4004SK3-13
仓库库存编号：
DMTH4004SK3-13DICT-ND
别名：DMTH4004SK3-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86567_F085
仓库库存编号：
FDD86567_F085CT-ND
别名：FDD86567_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86367_F085
仓库库存编号：
FDD86367_F085CT-ND
别名：FDD86367_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR638DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR638DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR638DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17501Q5A
仓库库存编号：
296-28437-1-ND
别名：296-28437-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号：
SQJQ900E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ900E-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta），191W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16556Q5B
仓库库存编号：
296-35627-1-ND
别名：296-35627-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP037N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP037N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP037N08N3 G
IPP037N08N3 G-ND
IPP037N08N3G
SP000680776
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5
仓库库存编号：
296-30139-1-ND
别名：296-30139-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.8W（Ta）, 120W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N8F7
仓库库存编号：
497-16502-1-ND
别名：497-16502-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB024N04AL7
仓库库存编号：
FDB024N04AL7CT-ND
别名：FDB024N04AL7CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP028N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP028N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP028N08N3 G
IPP028N08N3 G-ND
IPP028N08N3G
SP000680766
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI075N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI075N15N3GXKSA1-ND
别名：SP000680676
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 91W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN3R0-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1796-1-ND
别名：1727-1796-1
568-11379-1
568-11379-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 179W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R5-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5297-1-ND
别名：1727-5297-1
568-6727-1
568-6727-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R7-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4162-1-ND
别名：1727-4162-1
568-4678-1
568-4678-1-ND
PSMN1R730YL115
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1860-1-ND
别名：1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S51R9ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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