规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R1-25YLC,115
仓库库存编号：
1727-5296-1-ND
别名：1727-5296-1
568-6726-1
568-6726-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17506Q5A
仓库库存编号：
296-28408-1-ND
别名：296-28408-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD034N06N3 G
仓库库存编号：
IPD034N06N3 GINCT-ND
别名：IPD034N06N3 GINCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y4R8-60EX
仓库库存编号：
1727-1487-1-ND
别名：1727-1487-1
568-10967-1
568-10967-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R4-40YLDX
仓库库存编号：
1727-1857-1-ND
别名：1727-1857-1
568-11553-1
568-11553-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA00DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN4R3-30PL,127
仓库库存编号：
1727-4266-ND
别名：1727-4266
568-4897-5
568-4897-5-ND
934063918127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3 G
仓库库存编号：
IPB042N10N3 GCT-ND
别名：IPB042N10N3 GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
型号：
BUK764R0-75C,118
仓库库存编号：
1727-5255-1-ND
别名：1727-5255-1
568-6579-1
568-6579-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18532KCS
仓库库存编号：
296-34941-5-ND
别名：296-34941-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号：
1727-4388-ND
别名：1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP045N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP045N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP045N10N3 G
IPP045N10N3 G-ND
IPP045N10N3G
SP000680794
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB072N15N3 G
仓库库存编号：
IPB072N15N3 GCT-ND
别名：IPB072N15N3 GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名：IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR6225TRPBF
仓库库存编号：
IRLR6225TRPBFCT-ND
别名：IRLR6225TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 259W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18502KCS
仓库库存编号：
296-34940-5-ND
别名：296-34940-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STB100NF03L-03-1
仓库库存编号：
497-15805-5-ND
别名：497-15805-5
STB100NF03L-03-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP048N12N3 G
仓库库存编号：
IPP048N12N3 G-ND
别名：IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK100A10N1,S4X
仓库库存编号：
TK100A10N1S4X-ND
别名：TK100A10N1,S4X(S
TK100A10N1,S4X-ND
TK100A10N1S4X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB100N50P
仓库库存编号：
IXFB100N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7084TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7084TRPBFCT-ND
别名：IRFH7084TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB035N08N3 G
仓库库存编号：
IPB035N08N3 GCT-ND
别名：IPB035N08N3 GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1104PBF
仓库库存编号：
IRF1104PBF-ND
别名：*IRF1104PBF
SP001570050
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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