规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711TRRPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3L-03
仓库库存编号：
IPB100N06S3L-03INCT-ND
别名：IPB100N06S3L-03INCT
IPB100N06S3L-03XTINCT
IPB100N06S3L-03XTINCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号：
SPB100N03S2L03T-ND
别名：SP000013460
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
型号：
SPD100N03S2L04T
仓库库存编号：
SPD100N03S2L04T-ND
别名：SP000013966
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N03S2L03
仓库库存编号：
SPI100N03S2L03-ND
别名：SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S203
仓库库存编号：
SPP100N03S203-ND
别名：SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S2L03
仓库库存编号：
SPP100N03S2L03-ND
别名：SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A SOT429
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
型号：
PSMN004-55W,127
仓库库存编号：
PSMN004-55W,127-ND
别名：934055815127
PSMN004-55W
PSMN004-55W-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
型号：
PSMN009-100W,127
仓库库存编号：
PSMN009-100W,127-ND
别名：934055801127
PSMN009-100W
PSMN009-100W-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3-03
仓库库存编号：
IPB100N06S3-03-ND
别名：IPB100N06S303XT
SP000087982
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3-03
仓库库存编号：
IPI100N06S3-03-ND
别名：IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3-04
仓库库存编号：
IPI100N06S3-04IN-ND
别名：IPI100N06S3-04-ND
IPI100N06S3-04IN
IPI100N06S304X
IPI100N06S304XK
SP000102210
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3L-03
仓库库存编号：
IPI100N06S3L-03IN-ND
别名：IPI100N06S3L-03-ND
IPI100N06S3L-03IN
IPI100N06S3L03X
IPI100N06S3L03XK
SP000087979
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP048N06L G
仓库库存编号：
IPP048N06LGIN-ND
别名：IPP048N06L G-ND
IPP048N06LGIN
IPP048N06LGX
IPP048N06LGXK
SP000204180
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP050N06N G
仓库库存编号：
IPP050N06NGIN-ND
别名：IPP050N06N G-ND
IPP050N06NGIN
IPP050N06NGX
IPP050N06NGXK
SP000204169
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP054NE8NGHKSA2
仓库库存编号：
IPP054NE8NGHKSA2-ND
别名：IPP054NE8N G
IPP054NE8N G-ND
IPP054NE8NGX
IPP054NE8NGXK
SP000096462
SP000680804
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10N G
仓库库存编号：
IPP06CN10N G-ND
别名：IPP06CN10NGX
IPP06CN10NGXK
SP000096463
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CNE8N G
仓库库存编号：
IPP06CNE8N G-ND
别名：IPP06CNE8NGX
IPP06CNE8NGXK
SP000096464
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3-03
仓库库存编号：
IPP100N06S3-03-ND
别名：IPP100N06S303X
IPP100N06S303XK
SP000087980
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3-04
仓库库存编号：
IPP100N06S3-04IN-ND
别名：IPP100N06S3-04-ND
IPP100N06S3-04IN
IPP100N06S304X
IPP100N06S304XK
SP000102212
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3L-03
仓库库存编号：
IPP100N06S3L-03IN-ND
别名：IPP100N06S3L-03-ND
IPP100N06S3L-03IN
IPP100N06S3L03X
IPP100N06S3L03XK
SP000087977
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3L-04
仓库库存编号：
IPP100N06S3L-04IN-ND
别名：IPP100N06S3L-04-ND
IPP100N06S3L-04IN
IPP100N06S3L04X
IPP100N06S3L04XK
SP000102209
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2-03 G-ND
别名：SP000200140
SPB100N03S203GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2-04
仓库库存编号：
SPB100N04S2-04-ND
别名：SP000013711
SPB100N04S204T
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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