规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU8405
仓库库存编号：
IRAUIRFU8405-ND
别名：IRAUIRFU8405
SP001516840
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S207AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2-07
IPP100N08S2-07-ND
SP000219005
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N04S4H2AKSA1-ND
别名：IPI100N04S4-H2
IPI100N04S4-H2-ND
SP000711282
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA2
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA2-ND
别名：SP001067950
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07-ND
SP000219052
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名：SP001063640
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
SP000219044
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07-ND
SP000219053
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA2-ND
别名：SP001067944
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名：IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名：IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名：IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N10S3-05
仓库库存编号：
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名：IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI037N08N3GXKSA1-ND
别名：SP000680654
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N10S305AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N10S305AKSA1-ND
别名：IPI100N10S3-05
IPI100N10S3-05-ND
SP000407128
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 10V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP039N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP039N10N5AKSA1-ND
别名：SP001602186
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP05CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP05CN10N G
IPP05CN10N G-ND
IPP05CN10NG
IPP05CN10NGIN
IPP05CN10NGIN-ND
IPP05CN10NGX
IPP05CN10NGXK
SP000680814
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI030N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI030N10N3GXKSA1-ND
别名：SP000680648
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
型号：
IRF200P223
仓库库存编号：
IRF200P223-ND
别名：SP001582440
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL100NH3LL
仓库库存编号：
497-5813-1-ND
别名：497-5813-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A PWRSOIC-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ100NH3LL
仓库库存编号：
497-5785-1-ND
别名：497-5785-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ100NHS3LL
仓库库存编号：
STSJ100NHS3LL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 100A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N1VH5
仓库库存编号：
497-11219-1-ND
别名：497-11219-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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