规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N15P
仓库库存编号:
IXFR180N15P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX100N25
仓库库存编号:
IXFX100N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK100N25
仓库库存编号:
IXFK100N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVRG
仓库库存编号:
APT20M22LVRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVFRG
仓库库存编号:
APT20M22LVFRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK100N10
仓库库存编号:
IXFK100N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N20
仓库库存编号:
IXFN100N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N25
仓库库存编号:
IXFN100N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 100A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB100N50Q3
仓库库存编号:
IXFB100N50Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN110N20L2
仓库库存编号:
IXTN110N20L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.7KV 100A
详细描述:通孔 1700V 100A(Tc) 583W(Tc) TO-247
型号:
GA50JT17-247
仓库库存编号:
1242-1247-ND
别名:1242-1247
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 600V 100A
详细描述:通孔 600V 100A(Tc) 769W(Tc) TO-258
型号:
GA50JT06-258
仓库库存编号:
1242-1253-ND
别名:1242-1253
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S52R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S52R8ATMA1-ND
别名:SP001418102
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
别名:SP001418106
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711PBFTR-ND
别名:IRFR3711PBFTR
IRFR3711TRPBF-ND
IRFR3711TRPBFTR-ND
SP001557028
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3711TRLPBF-ND
别名:SP001578136
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFR8401TRL-ND
别名:IFAUIRFR8401TRL
SP001520504
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU8401
仓库库存编号:
IRAUIRFU8401-ND
别名:IRAUIRFU8401
SP001518756
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC100N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S402ATMA1-ND
别名:SP001007758
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD100N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPD100N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028766
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 99W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8403TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFR8403TRL-ND
别名:IFAUIRFR8403TRL
SP001518596
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 99W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU8403
仓库库存编号:
IRAUIRFU8403-ND
别名:IRAUIRFU8403
SP001518276
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385616
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S4H2AKSA1-ND
别名:IPP100N04S4-H2
IPP100N04S4-H2-ND
SP000711278
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 163W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8405TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFR8405TRL-ND
别名:IFAUIRFR8405TRL
SP001522904
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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