规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
型号：
DMT6002LPS-13
仓库库存编号：
DMT6002LPS-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA00DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA00DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
型号：
BUK963R1-40E,118
仓库库存编号：
1727-1098-1-ND
别名：1727-1098-1
568-10253-1
568-10253-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC100N04S5L1R1ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R1ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK969R3-100E,118
仓库库存编号：
1727-1064-1-ND
别名：1727-1064-1
568-10174-1
568-10174-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK962R6-40E,118
仓库库存编号：
1727-1095-1-ND
别名：1727-1095-1
568-10250-1
568-10250-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK964R2-60E,118
仓库库存编号：
1727-1100-1-ND
别名：1727-1100-1
568-10255-1
568-10255-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK753R1-40E,127
仓库库存编号：
1727-7236-ND
别名：1727-7236
568-9841-5
568-9841-5-ND
934066424127
BUK753R140E127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH6005LCT
仓库库存编号：
DMTH6005LCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100N04-3M6_GE3
仓库库存编号：
SQP100N04-3M6_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E2R3-40C,127
仓库库存编号：
1727-5269-ND
别名：1727-5269
568-6628
568-6628-5
568-6628-5-ND
568-6628-ND
934059861127
BUK7E2R3-40C,127-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM100N02-3M5L_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH4005SCT
仓库库存编号：
DMTH4005SCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N04-2M7_GE3
仓库库存编号：
SQM100N04-2M7_GE3-ND
别名：SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT4005SCT
仓库库存编号：
DMT4005SCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT6005LCT
仓库库存编号：
DMT6005LCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220-3
型号：
DMTH6010SCT
仓库库存编号：
DMTH6010SCTDI-5-ND
别名：DMTH6010SCTDI-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA100N04T2
仓库库存编号：
IXTA100N04T2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号：
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号：
SQM100N10-10_GE3-ND
别名：SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
型号：
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP100P04PDG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ100N25P
仓库库存编号：
IXTQ100N25P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD
型号：
IXFH100N25P
仓库库存编号：
IXFH100N25P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK100N25P
仓库库存编号：
IXTK100N25P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT100N25P
仓库库存编号：
IXTT100N25P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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