品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA00DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA00DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA60DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA60DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ904E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ904E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ904E-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR638DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR638DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR638DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ900E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ900E-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR626DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR626DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR626DP-T1-RE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR680DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR680DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR680DP-T1-RE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 395W(Tc) TO-247AC
型号:
SUG90090E-GE3
仓库库存编号:
SUG90090E-GE3CT-ND
别名:SUG90090E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 500W(Tc) TO-247AC
型号:
SUG80050E-GE3
仓库库存编号:
SUG80050E-GE3CT-ND
别名:SUG80050E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA90DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA90DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA90DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA90DP-T1-RE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA60DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA60DP-T1-RE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 83W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号:
SQD100N02-3M5L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N03-3M4_GE3
仓库库存编号:
SQD100N03-3M4_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N04-3M6_GE3
仓库库存编号:
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品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N04-3M6L_GE3
仓库库存编号:
SQD100N04-3M6L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N03-3M2L_GE3
仓库库存编号:
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR638DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR638DP-T1-RE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA00DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA00DP-T1-RE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP100N04-3M6_GE3
仓库库存编号:
SQP100N04-3M6_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号:
SQM100N02-3M5L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 157W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N04-2M7_GE3
仓库库存编号:
SQM100N04-2M7_GE3-ND
别名:SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 100A(Tc) 187W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号:
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号:
SQM100N10-10_GE3-ND
别名:SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203STRL
仓库库存编号:
IRL2203STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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