品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K0C3
仓库库存编号:
IPA90R1K0C3-ND
别名:IPA90R1K0C3XKSA1
SP000413712
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 27W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R750E6
仓库库存编号:
IPA60R750E6-ND
别名:IPA60R750E6XKSA1
SP000842480
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA80R1K0CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA2-ND
别名:SP001313392
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名:SP001117728
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU80R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001593928
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R750E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R750E6XKSA1-ND
别名:IPP60R750E6
IPP60R750E6-ND
SP000842482
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号:
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名:IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
SP000683078
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R750E6BTMA1CT
IPD60R750E6CT
IPD60R750E6CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001100624
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEBTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Tc),
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