规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU3
仓库库存编号:
APT26M100JCU3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 26A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE26NA90
仓库库存编号:
497-3168-5-ND
别名:497-3168-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 26A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY30NK90Z
仓库库存编号:
497-4431-5-ND
别名:497-4431-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV26N50P
仓库库存编号:
IXTV26N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV26N50PS
仓库库存编号:
IXTV26N50PS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV26N60P
仓库库存编号:
IXTV26N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV26N60PS
仓库库存编号:
IXTV26N60PS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) 400W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV26N50P
仓库库存编号:
IXFV26N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 400W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV26N50PS
仓库库存编号:
IXFV26N50PS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV26N60P
仓库库存编号:
IXFV26N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV26N60PS
仓库库存编号:
IXFV26N60PS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 26A(Tc) 375W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N55Q
仓库库存编号:
IXFH26N55Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT26N50Q TR
仓库库存编号:
IXFT26N50Q TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343
仓库库存编号:
IRLU4343-ND
别名:*IRLU4343
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRL
仓库库存编号:
IRLR4343CTL-ND
别名:*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343PBF
仓库库存编号:
IRLR4343PBF-ND
别名:*IRLR4343PBF
SP001558486
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343PBF
仓库库存编号:
IRLU4343PBF-ND
别名:*IRLU4343PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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