以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4466DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4466DY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4493DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4493DY-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4493DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4493DY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4876DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4876DY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 6.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5406DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5406DC-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5441DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5441DC-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5441DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5441DC-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5484DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5484DU-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5485DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5485DU-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 2.3W（Ta），10.4W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
  
  型号：SI5857DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5857DU-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.8A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6466ADQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6466ADQ-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.8A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6466ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6466ADQ-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7100DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7100DN-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7409ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7409ADN-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13.4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7448DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7448DP-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7601DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7601DN-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 13A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7882DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7882DP-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9424BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9424BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9434BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9434BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 40A（Tc） 8.3W（Ta），71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N02-08-E3
  仓库库存编号：SUD40N02-08-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 85A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N02-03-E3
  仓库库存编号：SUP85N02-03-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 840mA（Tc） 530mW（Tc） SC-75
  
  型号：PMR370XN,115
  仓库库存编号：568-6869-1-ND
  别名：568-6869-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Tc） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF290XN,115
  仓库库存编号：568-6870-1-ND
  别名：568-6870-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索