规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 106W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9660-100A,118
仓库库存编号:
1727-7198-1-ND
别名:1727-7198-1
568-9687-1
568-9687-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名:IPD35N10S3L26ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF13N03LA G
仓库库存编号:
IPF13N03LAGINCT-ND
别名:IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 215W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5295-1-ND
别名:1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TRPBF
仓库库存编号:
IRF7424PBFCT-ND
别名:*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),82A(Tc) 2.5W(Ta),29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
别名:BSC026NE2LS5ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TRPBF
仓库库存编号:
IRF7832PBFCT-ND
别名:*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD048N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD048N06L3GBTMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU039N03LGXK
仓库库存编号:
IPU039N03LGXK-ND
别名:IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R0-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1859-1-ND
别名:1727-1859-1
568-11555-1
568-11555-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB034N03L G
仓库库存编号:
IPB034N03LGINCT-ND
别名:IPB034N03LGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
IPP80N06S2L-07-ND
别名:IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3705ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3705ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3705ZTRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 272W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R8-40YLC,115
仓库库存编号:
1727-1052-1-ND
别名:1727-1052-1
568-10156-1
568-10156-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.6A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03SG
仓库库存编号:
BSC079N03SGINCT-ND
别名:BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R8-75C,118
仓库库存编号:
1727-5527-1-ND
别名:1727-5527-1
568-7006-1
568-7006-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R0-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7113-1-ND
别名:1727-7113-1
568-9483-1
568-9483-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名:SP001067894
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L07ATMA3
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
别名:IPB80N06S2L07ATMA3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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