规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76439S3ST
仓库库存编号：
HUF76439S3STCT-ND
别名：HUF76439S3STCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE874DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE874DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE874DF-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50P08-25L_GE3
仓库库存编号：
SQD50P08-25L_GE3CT-ND
别名：SQD50P08-25L_GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 17.3A
详细描述：表面贴装 P 沟道 17.3A（Tc） 7.14W（Tc） 8-SO
型号：
SQ4401EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4401EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4401EY-T1_GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8832_F085
仓库库存编号：
FDB8832_F085CT-ND
别名：FDB8832_F085CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8051-H(TE12L,Q)
仓库库存编号：
TPC8051-HTE12LQCT-ND
别名：TPC8051-HTE12LQCT
TPC8051HTE12LQ
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM90N03-2M2P-E3
仓库库存编号：
SUM90N03-2M2P-E3CT-ND
别名：SUM90N03-2M2P-E3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR890DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR890DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR890DP-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE822DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE822DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE822DF-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM40010EL_GE3
仓库库存编号：
SQM40010EL_GE3CT-ND
别名：SQM40010EL_GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM40031EL_GE3
仓库库存编号：
SQM40031EL_GE3CT-ND
别名：SQM40031EL_GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8832
仓库库存编号：
FDB8832CT-ND
别名：FDB8832CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 44A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），130A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS8320LDC
仓库库存编号：
FDMS8320LDCCT-ND
别名：FDMS8320LDCCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL75NH3LL
仓库库存编号：
497-8485-1-ND
别名：497-8485-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF03L-04T4
仓库库存编号：
497-7952-1-ND
别名：497-7952-1
STB80NF03L04T4
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE726DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE726DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE726DF-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 770mW（Ta） SC-73
型号：
PMT280ENEAX
仓库库存编号：
1727-2724-1-ND
别名：1727-2724-1
568-13288-1
568-13288-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 750mW（Ta） SC-73
型号：
PMT560ENEAX
仓库库存编号：
1727-2725-1-ND
别名：1727-2725-1
568-13289-1
568-13289-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 478mW（Ta）, 8.36W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV55ENEAR
仓库库存编号：
1727-2534-1-ND
别名：1727-2534-1
568-12973-1
568-12973-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），29A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
型号：
IRFH3707TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH3707TR2PBFCT-ND
别名：IRFH3707TR2PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 510mW（Ta）, 3.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV50ENEAR
仓库库存编号：
1727-2533-1-ND
别名：1727-2533-1
568-12972-1
568-12972-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 43W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2500-1-ND
别名：1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.8W（Ta），25W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8337TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8337TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8337TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 69W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN3R9-25MLC,115
仓库库存编号：
1727-7142-1-ND
别名：1727-7142-1
568-9575-1
568-9575-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 67W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN4R1-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5304-1-ND
别名：1727-5304-1
568-6737-1
568-6737-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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