规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8878
仓库库存编号：
FDD8878CT-ND
别名：FDD8878CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 3W（Ta），31W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E280GNTB
仓库库存编号：
RS1E280GNTBCT-ND
别名：RS1E280GNTBCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） 8-HSSO
型号：
SK8403180L
仓库库存编号：
P16265CT-ND
别名：P16265CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF030NE2LQ
仓库库存编号：
BSF030NE2LQCT-ND
别名：BSF030NE2LQCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 65W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8721TRPBF
仓库库存编号：
IRLR8721TRPBFCT-ND
别名：IRLR8721TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8259TRPBF
仓库库存编号：
IRLR8259TRPBFCT-ND
别名：IRLR8259TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
型号：
TK50P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB065N03L G
仓库库存编号：
IPB065N03LGINCT-ND
别名：IPB065N03LGINCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号：
TPN4R203NCL1QCT-ND
别名：TPN4R203NCL1QCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03MS G
仓库库存编号：
BSZ035N03MSGINCT-ND
别名：BSZ035N03MSGINCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名：RQ3E130MNTB1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E100MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E100MNTB1CT-ND
别名：RQ3E100MNTB1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ0901NS
仓库库存编号：
BSZ0901NSCT-ND
别名：BSZ0901NSCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN2R703NL,L1Q
仓库库存编号：
TPN2R703NLL1QCT-ND
别名：TPN2R703NL,L1QCT
TPN2R703NL,L1QCT-ND
TPN2R703NLL1QCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），70A（Tc） 2.8W（Ta），28W（Tc） 8-HSO
型号：
SK8603160L
仓库库存编号：
P16268CT-ND
别名：P16268CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH7932TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7932TRPBFCT-ND
别名：IRFH7932TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8854
仓库库存编号：
FDMC8854CT-ND
别名：FDMC8854CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR788DP-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 30A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Power56
型号：
FDMS7560S
仓库库存编号：
FDMS7560SFSCT-ND
别名：FDMS7560SFSCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR164DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR164DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR164DP-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSICT-ND
别名：BSZ018NE2LSICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03MS G
仓库库存编号：
BSC014N03MS GCT-ND
别名：BSC014N03MS GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7108DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7108DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7108DN-T1-E3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK（3）
型号：
RJK0391DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
别名：RJK0391DPA-00#J5ACT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL2203NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL2203NSTRLPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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