规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),120A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8318TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8318TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8318TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8325TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8325TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8325TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),56A(Tc) 3.3W(Ta),35W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8330TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),44A(Tc) 3.2W(Ta),30W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8334TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8334TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8334TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),35A(Tc) 3.2W(Ta),27W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8337TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8337TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8337TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK663R5-55C,118
仓库库存编号:
1727-5523-1-ND
别名:1727-5523-1
568-7002-1
568-7002-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 45A(Tc) 45W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名:IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名:BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),74A(Tc) 2.1W(Ta),32W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6811STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6811STR1PBFCT-ND
别名:IRF6811STR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 32A(Ta),160A(Tc) 2.1W(Ta),54W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6894MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6894MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6894MTR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 35A(Ta),213A(Tc) 2.1W(Ta),78W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6898MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6898MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6898MTR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),75W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF8306MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF8306MTR1PBFCT-ND
别名:IRF8306MTR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.4A(Ta),45A(Tc) 76W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC205N10LS G
仓库库存编号:
BSC205N10LS GCT-ND
别名:BSC205N10LS GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 19A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 17A(Ta),85A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC884N03MS G
仓库库存编号:
BSC884N03MS GCT-ND
别名:BSC884N03MS GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),45A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 44A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名:BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB022N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB022N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB022N04L GCT
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LG
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB049N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPB049N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPB049N06L3 GCT
IPB049N06L3 GCT-ND
IPB049N06L3G
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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