规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),44A(Tc) 3.6W(Ta),26W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5306TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5306TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5306TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5250TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5250TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5250TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),250W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5300TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 104W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1825AL,115
仓库库存编号:
PH1825AL,115-ND
别名:934063226115
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS315PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS315PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS315P L6327CT
BSS315P L6327CT-ND
BSS315PL6327
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO220N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO220N03MS GINCT
BSO220N03MS GINCT-ND
BSO220N03MSG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03M G
仓库库存编号:
IPD031N03M GINCT-ND
别名:IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5250DTR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5250DTR2PBFCT-ND
别名:IRFH5250DTR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),51A(Tc) 3.6W(Ta),26W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5255TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5255TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5255TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5302DTR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5302DTR2PBFCT-ND
别名:IRFH5302DTR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),79A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5304TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5030TR2PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 114W(Tc) DPAK
型号:
BUK9240-100A/C1,11
仓库库存编号:
BUK9240-100A/C1,11-ND
别名:934061623118
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 32A(Tc) 77W(Tc) DPAK
型号:
BUK9237-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9237-55A/C1,118-ND
别名:934061634118
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
BUK9222-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9222-55A/C1,118-ND
别名:934061635118
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),174A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB019N03LX G
仓库库存编号:
BSB019N03LX G-ND
别名:SP000597826
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),145A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB024N03LX G
仓库库存编号:
BSB024N03LX G-ND
别名:SP000597838
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),71A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB053N03LP G
仓库库存编号:
BSB053N03LP G-ND
别名:SP000597830
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),71A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF053N03LT G
仓库库存编号:
BSF053N03LT G-ND
别名:SP000597832
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),53A(Tc) 2.2W(Ta),36W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF083N03LQ G
仓库库存编号:
BSF083N03LQ G-ND
别名:SP000597834
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS127H6327XTSA1-ND
别名:BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS314PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS314PE L6327
BSS314PE L6327-ND
SP000473000
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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