规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB096N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB096N03LGATMA1CT-ND
别名：IPB096N03LGINCT
IPB096N03LGINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45.8A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1875L,115
仓库库存编号：
PH1875L,115-ND
别名：934059871115
PH1875L T/R
PH1875L T/R-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH9030L,115
仓库库存编号：
PH9030L,115-ND
别名：934061644115
PH9030L T/R
PH9030L T/R-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
型号：
PHU97NQ03LT,127
仓库库存编号：
PHU97NQ03LT,127-ND
别名：934061436127
PHU97NQ03LT
PHU97NQ03LT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
2N7002 L6327
仓库库存编号：
2N7002 L6327-ND
别名：2N7002L6327HTSA1
SP000408440
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF045N03MQ3 G
仓库库存编号：
BSF045N03MQ3 G-ND
别名：SP000458790
SP000597844
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP322PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP322PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR315PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR315P L6327
BSR315P L6327-ND
SP000265405
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6327
仓库库存编号：
BSS138W L6327-ND
别名：SP000245411
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6433
仓库库存编号：
BSS138W L6433-ND
别名：SP000245412
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
SP000442416
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW L6327
仓库库存编号：
BSS84PW L6327-ND
别名：SP000247312
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB114N03L G
仓库库存编号：
IPB114N03L G-ND
别名：SP000304102
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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