规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA G
仓库库存编号:
IPBH6N03LAGINCT-ND
别名:IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD03N03LB G
仓库库存编号:
IPD03N03LBGINCT-ND
别名:IPD03N03LBG
IPD03N03LBGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD640N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD640N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD640N06LGINCT
IPD640N06LGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
SN7002W E6327
仓库库存编号:
SN7002WE6327INCT-ND
别名:SN7002WE6327INCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L G
仓库库存编号:
SPB80N10LGINCT-ND
别名:SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),59A(Tc) 2.2W(Ta),34W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6622TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6622TR1PBFCT-ND
别名:IRF6622TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),95A(Tc) 2.8W(Ta),62.5W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03S G
仓库库存编号:
BSC042N03SGINCT-ND
别名:BSC042N03SG
BSC042N03SGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP318SL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP318SL6327
BSP318SL6327INCT
BSP318SL6327INCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 66A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9025L,115
仓库库存编号:
PH9025L,115-ND
别名:934061158115
PH9025L T/R
PH9025L T/R-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3704STRLPBFCT-ND
别名:IRF3704STRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3711STRLPBFCT-ND
别名:IRF3711STRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TRPBF
仓库库存编号:
IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),44A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC100N03LSGINCT
BSC100N03LSGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZCPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZCPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7811WCPBF
仓库库存编号:
IRLR7811WCPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号:
IRFU3709Z-701P-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716SPBF
仓库库存编号:
IRL3716SPBF-ND
别名:SP001568304
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 20A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR9343-701PBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Ta) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833CPBF
仓库库存编号:
IRLR7833CPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7833-701PBF
仓库库存编号:
IRLU7833-701PBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 161A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7843-701PBF
仓库库存编号:
IRLU7843-701PBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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