规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7
型号:
BTS282ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS282ZAKSA1-ND
别名:BTS282Z
BTS282Z-ND
BTS282ZXK
SP000399016
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7-230
型号:
BTS282Z E3230
仓库库存编号:
BTS282Z E3230-ND
别名:BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB03N03LA
仓库库存编号:
IPB03N03LA-ND
别名:IPB03N03LAT
SP000014034
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB
仓库库存编号:
IPB03N03LB-ND
别名:IPB03N03LBT
SP000074722
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB
仓库库存编号:
IPB04N03LB-ND
别名:IPB04N03LBT
SP000064219
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB G
仓库库存编号:
IPB04N03LB G-ND
别名:IPB04N03LBGXT
SP000103301
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA G
仓库库存编号:
IPB05N03LA G-ND
别名:IPB05N03LAGXT
SP000068872
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB
仓库库存编号:
IPB05N03LB-ND
别名:IPB05N03LBT
SP000065206
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB065N06L G
仓库库存编号:
IPB065N06L G-ND
别名:IPB063N06LGXT
IPB065N06LGXT
SP000204183
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA G
仓库库存编号:
IPB06N03LA G-ND
别名:IPB06N03LAGXT
SP000068850
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB06N03LB
仓库库存编号:
IPB06N03LB-ND
别名:IPB06N03LBT
SP000065274
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB06N03LB G
仓库库存编号:
IPB06N03LB G-ND
别名:IPB06N03LBGXT
SP000103304
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LA G
仓库库存编号:
IPB09N03LA G-ND
别名:IPB09N03LAGXT
SP000068859
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB
仓库库存编号:
IPB10N03LB-ND
别名:IPB10N03LBT
SP000064220
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB G
仓库库存编号:
IPB10N03LB G-ND
别名:IPB10N03LBGXT
SP000103305
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA
仓库库存编号:
IPB11N03LA-ND
别名:IPB11N03LAT
SP000014987
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA G
仓库库存编号:
IPB11N03LA G-ND
别名:IPB11N03LAGXT
SP000103306
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB
仓库库存编号:
IPB13N03LB-ND
别名:IPB13N03LBT
SP000064218
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA G
仓库库存编号:
IPB14N03LA G-ND
别名:IPB14N03LAGXT
SP000085264
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA
仓库库存编号:
IPBH6N03LA-ND
别名:IPBH6N03LAT
SP000068587
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LB G
仓库库存编号:
IPD05N03LB G-ND
别名:IPD05N03LBGXT
SP000016410
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD09N03LB G
仓库库存编号:
IPD09N03LB G-ND
别名:IPD09N03LBGXT
SP000016412
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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