规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 16A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6633TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6633TR1PBFCT-ND
别名:IRF6633TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6635TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6635TR1PBFCT-ND
别名:IRF6635TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 18A(Ta),81A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6636TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6636TR1PBFCT-ND
别名:IRF6636TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6637TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6637TR1PBFCT-ND
别名:IRF6637TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),140A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6638TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6638TR1PBFCT-ND
别名:IRF6638TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6678TR1PBFCT-ND
别名:IRF6678TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6691TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6691TR1PBFCT-ND
别名:IRF6691TR1PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 300mA(Tc) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000,126
仓库库存编号:
2N7000,126-ND
别名:2N7000 AMO
2N7000 AMO-ND
934003460126
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N03S
仓库库存编号:
BSC022N03S-ND
别名:BSC022N03ST
SP000014713
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024N025S G
仓库库存编号:
BSC024N025S G-ND
别名:BSC024N025SGXT
SP000095464
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N03S G
仓库库存编号:
BSC027N03S G-ND
别名:BSC027N03SGXT
SP000095462
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N025S G
仓库库存编号:
BSC037N025S G-ND
别名:BSC037N025SGXT
SP000095466
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),54W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03S G
仓库库存编号:
BSC052N03S G-ND
别名:BSC052N03SGXT
SP000056192
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N025S G
仓库库存编号:
BSC072N025S G-ND
别名:BSC072N025SGXT
SP000095468
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 14A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC085N025S G
仓库库存编号:
BSC085N025S G-ND
别名:BSC085N025SGXT
SP000095469
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO064N03S
仓库库存编号:
BSO064N03S-ND
别名:BSO064N03SXT
SP000077646
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO094N03S
仓库库存编号:
BSO094N03S-ND
别名:BSO094N03SNT
BSO094N03SXT
SP000077648
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO104N03S
仓库库存编号:
BSO104N03S-ND
别名:BSO104N03SNT
BSO104N03SXT
SP000077649
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6327
仓库库存编号:
BSP125 E6327-ND
别名:BSP125E6327T
SP000011100
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6433
仓库库存编号:
BSP125 E6433-ND
别名:BSP125E6433T
SP000011101
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296 E6433
仓库库存编号:
BSP296 E6433-ND
别名:BSP296E6433T
SP000011107
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297 E6327
仓库库存编号:
BSP297 E6327-ND
别名:BSP297E6327T
SP000011108
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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