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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.8A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4186DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4186DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4186DY-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19.2A（Tc） 2.9W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4483ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4483ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4483ADY-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD036N04L G
  仓库库存编号：IPD036N04L GCT-ND
  别名：IPD036N04L GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7635DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7635DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7635DP-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6673BZ
  仓库库存编号：FDS6673BZCT-ND
  别名：FDS6673BZCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4884BDY-T1-E3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8453LZ
  仓库库存编号：FDD8453LZCT-ND
  别名：FDD8453LZCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16413Q5A
  仓库库存编号：296-24524-1-ND
  别名：296-24524-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 215mA（Ta） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN5325N3-G
  仓库库存编号：TN5325N3-G-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR468DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR468DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR468DP-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS468DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS468DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS468DN-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS4435BZ
  仓库库存编号：FDMS4435BZCT-ND
  别名：FDMS4435BZCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC027N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC027N04LS GCT
  BSC027N04LS GCT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Texas Instruments
  60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD18543Q3AT
  仓库库存编号：296-45302-1-ND
  别名：296-45302-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4164DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4164DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4164DY-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR418DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR418DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR418DP-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8647L
  仓库库存编号：FDD8647LCT-ND
  别名：FDD8647LCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：MMSF3P02HDR2G
  仓库库存编号：MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
  别名：MMSF3P02HDR2GOSCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD23N06-31L-E3
  仓库库存编号：SUD23N06-31L-E3CT-ND
  别名：SUD23N06-31L-E3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R1-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5296-1-ND
  别名：1727-5296-1
  568-6726-1
  568-6726-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3636TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3636TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3636TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7114DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7114DN-T1-E3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7842TRPBF
  仓库库存编号：IRF7842PBFCT-ND
  别名：*IRF7842TRPBF
  IRF7842PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8870
  仓库库存编号：FDD8870FSCT-ND
  别名：FDD8870FSCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17506Q5A
  仓库库存编号：296-28408-1-ND
  别名：296-28408-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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