规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.7A(Ta) 275mW(Ta) SOT-323-3
型号:
PMF87EN,115
仓库库存编号:
568-10787-1-ND
别名:568-10787-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.1A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
PMN35EN,125
仓库库存编号:
568-10800-1-ND
别名:568-10800-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.8A(Ta) 800mW(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PMT200EN,135
仓库库存编号:
568-10826-1-ND
别名:568-10826-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.4A(Ta) 820mW(Ta),8.33W(Tc) SOT-223
型号:
PMT21EN,135
仓库库存编号:
568-10827-1-ND
别名:568-10827-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 820mW(Ta),8.33W(Tc) SOT-223
型号:
PMT29EN,115
仓库库存编号:
568-10828-1-ND
别名:568-10828-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 900mA(Ta) 800mW(Ta),6.2W(Tc) SOT-223
型号:
PMT760EN,135
仓库库存编号:
568-10829-1-ND
别名:568-10829-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.1A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV37EN,215
仓库库存编号:
568-10835-1-ND
别名:568-10835-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.9A(Ta) 310mW(Ta), 2.09W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV90EN,215
仓库库存编号:
568-10838-1-ND
别名:568-10838-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 650mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB790SN,315
仓库库存编号:
568-10846-1-ND
别名:568-10846-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB56EN
仓库库存编号:
1727-1477-1-ND
别名:1727-1477-1
568-10948-1
568-10948-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK
型号:
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号:
RQJ0303PGDQA#H6-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR646DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR646DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR646DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42.5A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4038DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4038DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4038DY-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 3W(Ta),6.25W(Tc) 8-SO
型号:
SI4752DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4752DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR482DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR482DP-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR814DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR814DP-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS330DN-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.8W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS334DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS334DN-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS448DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS448DN-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 10W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
SUD50N03-06AP-T4E3
仓库库存编号:
SUD50N03-06AP-T4E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.2A(Ta),53A(Tc) 3.1W(Ta),104.2W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP53P06-20-GE3
仓库库存编号:
SUP53P06-20-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 260mA(Ta) 560mW(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF3800SN,115
仓库库存编号:
568-11275-1-ND
别名:568-11275-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 260mA(Ta) 560mW(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF3800SN,115
仓库库存编号:
568-11275-6-ND
别名:568-11275-6
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),16.7W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD06N10-225L-GE3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-GE3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.4A(Ta),32A(Tc) 83W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD4685_F085
仓库库存编号:
FDD4685_F085-5-ND
别名:FDD4685_F085-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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