规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 28.6A(Tc) 2.5W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4654DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4654DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 23.1A(Tc) 3.1W(Ta),5.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4660DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4660DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4682DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4682DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4682DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4682DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4684DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4684DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4684DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4684DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4688DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4688DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.6A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4831BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4831BDY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.6A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4831BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4831BDY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.6A(Tc) 1.93W(Ta),2.75W(Tc) 8-SO
型号:
SI4833ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4833ADY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4840DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4840DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4858DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4858DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4858DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4858DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4860DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4860DY-T1-GE3-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4880DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4880DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4880DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4880DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.5A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4886DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4886DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.5A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4886DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4886DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4888DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4888DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4892DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4892DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4892DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4892DY-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5402DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5402DC-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5402DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5402DC-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5480DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5480DU-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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