规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2318DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2318DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2318DS-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） DPAK
型号：
NTD4969NT4G
仓库库存编号：
NTD4969NT4GOSCT-ND
别名：NTD4969NT4GOSCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2392ADS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2392ADS-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3469DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3469DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3469DV-T1-E3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2343DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2343DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2343DS-T1-E3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
DMT6016LSS-13
仓库库存编号：
DMT6016LSS-13DICT-ND
别名：DMT6016LSS-13DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 740mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN3110S-7
仓库库存编号：
DMN3110S-7DICT-ND
别名：DMN3110S-7DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC610PZ
仓库库存编号：
FDC610PZCT-ND
别名：FDC610PZCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN7R0-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5909-1-ND
别名：1727-5909-1
568-7589-1
568-7589-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
DMN3032LE-13
仓库库存编号：
DMN3032LE-13DICT-ND
别名：DMN3032LE-13DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN6040SFDE-7
仓库库存编号：
DMN6040SFDE-7DICT-ND
别名：DMN6040SFDE-7DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2306BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2306BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2306BDS-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMN6040SVT-7
仓库库存编号：
DMN6040SVT-7DICT-ND
别名：DMN6040SVT-7DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3
型号：
DMN4036LK3-13
仓库库存编号：
DMN4036LK3-13DICT-ND
别名：DMN4036LK3-13DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4449
仓库库存编号：
785-1199-1-ND
别名：785-1199-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
型号：
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5419DU-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8884
仓库库存编号：
FDS8884CT-ND
别名：FDS8884CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2306BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2306BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2306BDS-T1-E3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 1.25W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2316BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2316BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2316BDS-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8878
仓库库存编号：
FDS8878CT-ND
别名：FDS8878CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA18ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA18ADN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA18ADN-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMP6A17E6QTA
仓库库存编号：
ZXMP6A17E6QTADICT-ND
别名：ZXMP6A17E6QTADICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Tc） 1.7W（Ta） TO-252
型号：
DMP6180SK3-13
仓库库存编号：
DMP6180SK3-13DICT-ND
别名：DMP6180SK3-13DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 1.25W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2316BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2316BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2316BDS-T1-E3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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