规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名：SP001098610
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8714GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8714GTRPBFTR-ND
别名：IRF8714GTRPBFTR
SP001570678
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8330TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP125H6433XTMA1-ND
别名：SP001058578
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8721GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8721GTRPBFTR-ND
别名：IRF8721GTRPBFTR
SP001565746
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名：SP000249747
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号：
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名：IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta） 2.8W（Ta），34W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8228TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8228TRPBFTR-ND
别名：IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236948
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
型号：
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0589NSATMA1-ND
别名：SP001586396
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC70N04S5L4R2ATMA1
仓库库存编号：
IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
别名：SP001418126
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002N L6327
仓库库存编号：
SN7002NL6327INCT-ND
别名：SN7002NL6327
SN7002NL6327INCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名：SP000448976
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 62W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC90N04S5L3R3ATMA1
仓库库存编号：
IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
别名：SP001418122
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），84A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号：
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名：BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），72A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0504NSIATMA1-ND
别名：SP001288146
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名：BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S4L08ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S4L08ATMA2-ND
别名：SP001028664
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），69A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号：
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名：SP001034234
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC094N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC094N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001458086
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254716
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ033NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
别名：SP001288158
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254715
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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