规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V, | 创唯电子 (美国1号仓库)

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,

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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8

型号：SI7116DN-T1-GE3
仓库库存编号：SI7116DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7116DN-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）

型号：TN2540N8-G
仓库库存编号：TN2540N8-GCT-ND
别名：TN2540N8-GCT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8

型号：SI7812DN-T1-GE3
仓库库存编号：SI7812DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8

型号：SI7812DN-T1-E3
仓库库存编号：SI7812DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号：SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR870ADP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）

型号：CSD18502Q5B
仓库库存编号：296-35629-1-ND
别名：296-35629-1

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7135DP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7135DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7135DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），61A（Tc） 4.1W（Ta），118W（Tc） DPAK-3

型号：NVD5117PLT4G-VF01
仓库库存编号：NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
别名：NVD5117PLT4G-VF01CT
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSCT-ND

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7145DP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7145DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7145DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7141DP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7141DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7141DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7469DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7469DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7469DP-T1-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 125mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）

型号：TP2540N8-G
仓库库存编号：TP2540N8-GCT-ND
别名：TP2540N8-GCT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8

型号：SI7463DP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7463DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7463DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8

型号：SI7463DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7463DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7463DP-T1-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56

型号：FDMS7650
仓库库存编号：FDMS7650CT-ND
别名：FDMS7650CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号：SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）

型号：TPHR9003NL,L1Q
仓库库存编号：TPHR9003NLL1QCT-ND
别名：TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QCT-ND
TPHR9003NLL1QCT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SUD50P08-25L-E3
仓库库存编号：SUD50P08-25L-E3CT-ND
别名：SUD50P08-25L-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号：SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名：SUD50P04-09L-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号：SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SUD50N06-09L-E3
仓库库存编号：SUD50N06-09L-E3CT-ND
别名：SUD50N06-09L-E3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SIR470DP-T1-GE3
仓库库存编号：SIR470DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR470DP-T1-GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance

型号：TPW1R306PL,L1Q
仓库库存编号：TPW1R306PLL1QCT-ND
别名：TPW1R306PLL1QCT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SQJ461EP-T1_GE3
仓库库存编号：SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ461EP-T1_GE3CT

规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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