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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 57A(Tj) 148W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN016-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7208-1-ND
别名:1727-7208-1
568-9699-1
568-9699-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 57A(Tj) 148W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN016-100PS,127
仓库库存编号:
1727-4657-ND
别名:1727-4657
568-5774
568-5774-5
568-5774-5-ND
568-5774-ND
934064505127
PSMN016-100PS,127-ND
PSMN016100PS127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号:
SQJ940EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ940EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ940EP-T1_GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRL
仓库库存编号:
IRL3714ZSCTL-ND
别名:*IRL3714ZSTRL
IRL3714ZSCTL
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
STD35N3LH5
仓库库存编号:
497-10956-1-ND
别名:497-10956-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),40.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-16P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-16P-E3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),40.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-16P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-16P-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 9.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.8A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),35.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-16P-E3
仓库库存编号:
SUD50N04-16P-E3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503
仓库库存编号:
IRLR8503-ND
别名:*IRLR8503
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRL
仓库库存编号:
IRLR8503TRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TR
仓库库存编号:
IRLR8503TR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRR
仓库库存编号:
IRLR8503TRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714Z
仓库库存编号:
IRL3714Z-ND
别名:*IRL3714Z
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714ZL
仓库库存编号:
IRL3714ZL-ND
别名:*IRL3714ZL
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714ZPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZPBF-ND
别名:*IRL3714ZPBF
SP001578634
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSPBF-ND
别名:*IRL3714ZSPBF
SP001568360
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714ZLPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZLPBF-ND
别名:*IRL3714ZLPBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8503PBFCT-ND
别名:*IRLR8503TRPBF
IRLR8503PBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSTRRPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
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MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSTRLPBF-ND
别名:SP001557964
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 15A,10V,
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