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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 80V 32A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ479EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ479EP-T1_GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS892ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS892ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS892ADN-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 4.1W(Ta),29.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7454DDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7454DDP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.2W TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH6023SK3-13
仓库库存编号:
DMPH6023SK3-13-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 10A,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.2W TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH6023SK3Q-13
仓库库存编号:
DMPH6023SK3Q-13-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 10A,10V,
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