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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 1.7W Surface Mount 6-DFN (2x5)
  
  型号：AON5820_101
  仓库库存编号：AON5820_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 38W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6266_101
  仓库库存编号：AON6266_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU2703
  仓库库存编号：IRLU2703-ND
  别名：*IRLU2703
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：SI3443DVTR
  仓库库存编号：SI3443DVCT-ND
  别名：*SI3443DVTR
  SI3443DVCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703S
  仓库库存编号：IRL2703S-ND
  别名：*IRL2703S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703STRL
  仓库库存编号：IRL2703STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703STRR
  仓库库存编号：IRL2703STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2703TRL
  仓库库存编号：IRLR2703TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2703TRR
  仓库库存编号：IRLR2703TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZCS
  仓库库存编号：IRF3707ZCS-ND
  别名：*IRF3707ZCS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZS
  仓库库存编号：IRF3707ZS-ND
  别名：*IRF3707ZS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3707ZCL
  仓库库存编号：IRF3707ZCL-ND
  别名：*IRF3707ZCL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3707Z
  仓库库存编号：IRF3707Z-ND
  别名：*IRF3707Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3707ZL
  仓库库存编号：IRF3707ZL-ND
  别名：*IRF3707ZL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZCSTRR
  仓库库存编号：IRF3707ZCSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZSTRL
  仓库库存编号：IRF3707ZSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZSTRR
  仓库库存编号：IRF3707ZSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3707ZPBF
  仓库库存编号：IRF3707ZPBF-ND
  别名：*IRF3707ZPBF
  SP001569942
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3707ZCLPBF
  仓库库存编号：IRF3707ZCLPBF-ND
  别名：*IRF3707ZCLPBF
  SP001571386
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703SPBF
  仓库库存编号：IRL2703SPBF-ND
  别名：*IRL2703SPBF
  SP001550348
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZSPBF
  仓库库存编号：IRF3707ZSPBF-ND
  别名：*IRF3707ZSPBF
  SP001564420
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU2703PBF
  仓库库存编号：IRLU2703PBF-ND
  别名：*IRLU2703PBF
  SP001558606
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3707ZLPBF
  仓库库存编号：IRF3707ZLPBF-ND
  别名：*IRF3707ZLPBF
  SP001561758
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZSTRRP
  仓库库存编号：IRF3707ZSTRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703STRLPBF
  仓库库存编号：IRL2703STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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