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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 28A(Tc) 375W(Tc) TO-268
型号:
IXFT28N50Q
仓库库存编号:
IXFT28N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R340C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R340C3XKSA1-ND
别名:IPI90R340C3
IPI90R340C3-ND
SP000413726
SP000683082
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP30NM50N
仓库库存编号:
497-8790-5-ND
别名:497-8790-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NM50N
仓库库存编号:
497-8768-1-ND
别名:497-8768-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF30NM50N
仓库库存编号:
STF30NM50N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 620V 15.5A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW17N62K3
仓库库存编号:
497-10717-5-ND
别名:497-10717-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R1-40B,127
仓库库存编号:
568-6623-5-ND
别名:568-6623
568-6623-5
568-6623-ND
934057094127
BUK753R1-40B
BUK753R1-40B,127-ND
BUK753R1-40B-ND
BUK753R140B127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6679Z
仓库库存编号:
FDS6679Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 45A(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB45N15V2TM
仓库库存编号:
FQB45N15V2TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.2A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF11N90
仓库库存编号:
FQAF11N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11.4A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90
仓库库存编号:
FQA11N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM220-004P3-SL
仓库库存编号:
GWM220-004P3-SL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM220-004P3-SL SAM
仓库库存编号:
GWM220-004P3-SL SAM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM220-004P3-SMD
仓库库存编号:
GWM220-004P3-SMD-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM220-004P3-SMD SAM
仓库库存编号:
GWM220-004P3-SMD SAM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 19A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 19A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB264L
仓库库存编号:
785-1327-1-ND
别名:785-1327-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP140N
仓库库存编号:
IRFP140N-ND
别名:*IRFP140N
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3418PBF
仓库库存编号:
IRFU3418PBF-ND
别名:*IRFU3418PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB225NQ04T,118
仓库库存编号:
PHB225NQ04T,118-ND
别名:934058531118
PHB225NQ04T /T3
PHB225NQ04T /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP225NQ04T,127
仓库库存编号:
PHP225NQ04T,127-ND
别名:934058532127
PHP225NQ04T
PHP225NQ04T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418PBF
仓库库存编号:
IRFR3418PBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRLPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5030TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V,
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