品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTR
仓库库存编号:
IRFR9014NTR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTRR
仓库库存编号:
IRFR9014NTRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRR
仓库库存编号:
IRFR9014TRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2309DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2309DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2309DS-T1-E3CT
SI2309DST1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4567DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4567DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4567DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4908DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4908DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4908DY-T1-E3CT
SI4908DYT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA513DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA513DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA513DJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 1.3A(Tc) 2.2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4409DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4409DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4409DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3456CDV-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3456CDV-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 1.3A(Tc) 2.2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4409DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4409DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4567DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4567DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4908DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4908DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.4A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2360EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2360EES-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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