规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(28)
分立半导体产品
(28)
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor (19)
ON Semiconductor (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N25TM
仓库库存编号:
FDD6N25TMCT-ND
别名:FDD6N25TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FDT3N40TF
仓库库存编号:
FDT3N40TFCT-ND
别名:FDT3N40TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3N40TU
仓库库存编号:
FDU3N40TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),5.5A(Tc) 3.1W(Ta),29W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86113LZ
仓库库存编号:
FDD86113LZFSCT-ND
别名:FDD86113LZFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5124PLTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FDU6N25
仓库库存编号:
FDU6N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N40TM
仓库库存编号:
FDD3N40TMCT-ND
别名:FDD3N40TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta),7.5A(Tc) 2.3W(Ta),19W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC86116LZ
仓库库存编号:
FDMC86116LZCT-ND
别名:FDMC86116LZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
FDFS6N754
仓库库存编号:
FDFS6N754CT-ND
别名:FDFS6N754CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC86244
仓库库存编号:
FDC86244CT-ND
别名:FDC86244CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3351-TL-W
仓库库存编号:
CPH3351-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3351-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 1.8A 60V CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 1.2W(Ta) 3-CPH
型号:
NVC3S5A51PLZT1G
仓库库存编号:
NVC3S5A51PLZT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLWFTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.82A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C680NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C680NLTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.82A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C680NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C680NLWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TF
仓库库存编号:
FQD1N60TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.2A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP1N60
仓库库存编号:
FQP1N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N60TU
仓库库存编号:
FQU1N60TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TM
仓库库存编号:
FQD1N60TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.2A(Tc) 3.13W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB1N60TM
仓库库存编号:
FQB1N60TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 900mA(Tc) 21W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF1N60
仓库库存编号:
FQPF1N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 900mA(Tc) 21W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF1N60T
仓库库存编号:
FQPF1N60T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N40TF
仓库库存编号:
FDD3N40TFCT-ND
别名:FDD3N40TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号