品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 1.7W(Tc) SOT-23-3
型号:
SI2347DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2347DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2347DS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4948BEY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4948BEY-T1-E3CT-ND
别名:SI4948BEY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7309DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7309DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7309DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7309DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7309DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7309DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9620PBF
仓库库存编号:
IRF9620PBF-ND
别名:*IRF9620PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS436DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS436DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS436DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号:
SQJ202EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ202EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ202EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4948BEY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4948BEY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4948BEY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI9407BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9407BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9407BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730APBF
仓库库存编号:
IRF730APBF-ND
别名:*IRF730APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASPBF
仓库库存编号:
IRF730ASPBF-ND
别名:*IRF730ASPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI9407BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9407BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9407BDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 3W(Ta),40W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9620STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9620STRLPBFCT-ND
别名:IRF9620STRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4214DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4214DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4214DDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4214DDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4214DDY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9620
仓库库存编号:
IRF9620-ND
别名:*IRF9620
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730A
仓库库存编号:
IRF730A-ND
别名:*IRF730A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730AS
仓库库存编号:
IRF730AS-ND
别名:*IRF730AS
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.5A(Tc) 3W(Ta),40W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9620S
仓库库存编号:
IRF9620S-ND
别名:*IRF9620S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730AL
仓库库存编号:
IRF730AL-ND
别名:*IRF730AL
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRL
仓库库存编号:
IRF730ASTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRR
仓库库存编号:
IRF730ASTRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF730L
仓库库存编号:
IRF730L-ND
别名:*IRF730L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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