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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6P10E
仓库库存编号:
MTD6P10EOS-ND
别名:MTD6P10EOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
NTF3055-100T3LF
仓库库存编号:
NTF3055-100T3LFOS-ND
别名:NTF3055-100T3LFOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06T4
仓库库存编号:
NTB18N06T4OS-ND
别名:NTB18N06T4OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06
仓库库存编号:
NTP18N06OS-ND
别名:NTP18N06OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06T4G
仓库库存编号:
NTB18N06T4GOS-ND
别名:NTB18N06T4GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP18N06G
仓库库存编号:
NTP18N06GOS-ND
别名:NTP18N06GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9412
仓库库存编号:
FDS9412-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 7A(Tc) 98W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N40
仓库库存编号:
FQP7N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N30
仓库库存编号:
FQPF9N30-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 4.6A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N40
仓库库存编号:
FQPF7N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3.6A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N50
仓库库存编号:
FQPF6N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.5A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N50TM
仓库库存编号:
FQB6N50TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.5A(Tc) 98W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N50
仓库库存编号:
FQP6N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.5A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
FQI6N50TU
仓库库存编号:
FQI6N50TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06
仓库库存编号:
NTB18N06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06G
仓库库存编号:
NTB18N06G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.4A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) TO-252AA
型号:
IRFR120ATM
仓库库存编号:
IRFR120ATM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.4A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) I-Pak
型号:
IRFU120ATU
仓库库存编号:
IRFU120ATU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4960N-1G
仓库库存编号:
NTD4960N-1GOS-ND
别名:NTD4960N-1GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4960N-35G
仓库库存编号:
NTD4960N-35GOS-ND
别名:NTD4960N-35GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) DPAK
型号:
NTD4960NT4G
仓库库存编号:
NTD4960NT4GOSCT-ND
别名:NTD4960NT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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