品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N03-09P-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7900AEDN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7900AEDN-T1-E3CT-ND
别名:SI7900AEDN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3-ND
SI1489EDH-T1-GE3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3DKR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 37.8A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA468DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA468DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA468DJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? TSC75-6
型号:
SIB437EDKT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB437EDKT-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7900AEDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7900AEDN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 22V 49A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N024-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N024-09P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-09P-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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