品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L03ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L03ATMA2-ND
别名:SP001028764
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S4L04ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S4L04ATMA2-ND
别名:SP001028756
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI90N06S4L04AKSA2
仓库库存编号:
IPI90N06S4L04AKSA2-ND
别名:SP001028760
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S204ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA2-ND
别名:SP001063636
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N04S204AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N04S204AKSA2-ND
别名:SP001063634
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3206PBF
仓库库存编号:
IRFSL3206PBF-ND
别名:SP001578476
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 77.5A(Tc) 481W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R041P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R041P6FKSA1-ND
别名:SP001313878
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 115A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4215
仓库库存编号:
IRFB4215-ND
别名:*IRFB4215
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4710PBF
仓库库存编号:
IRFSL4710PBF-ND
别名:*IRFSL4710PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 115A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4215PBF
仓库库存编号:
IRFB4215PBF-ND
别名:*IRFB4215PBF
SP001577800
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4710PBF
仓库库存编号:
IRFS4710PBF-ND
别名:*IRFS4710PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 135W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3-07
仓库库存编号:
IPB80N06S3-07-ND
别名:IPB80N06S307XT
SP000088065
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 135W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3-07
仓库库存编号:
IPI80N06S3-07IN-ND
别名:IPI80N06S3-07-ND
IPI80N06S3-07IN
IPI80N06S307X
IPI80N06S307XK
SP000088064
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 135W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3-07
仓库库存编号:
IPP80N06S3-07-ND
别名:IPP80N06S307X
IPP80N06S307XK
SP000088067
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2-05-ND
别名:SP000013713
SPB100N06S205T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S203CTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S203CTMA1TR-ND
别名:SP000014263
SPB160N04S2-03
SPB160N04S2-03-ND
SPB160N04S203T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-04
仓库库存编号:
SPB80N04S2-04-ND
别名:SP000016353
SPB80N04S204T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2-05-ND
别名:SP000016351
SPB80N06S205T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N04S2-04
仓库库存编号:
SPI80N04S2-04-ND
别名:SP000015085
SPI80N04S204
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2-05-ND
别名:SP000013720
SPP100N06S205
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N04S2-04
仓库库存编号:
SPP80N04S2-04-ND
别名:SP000012470
SPP80N04S204
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-05
仓库库存编号:
SPP80N06S2-05-ND
别名:SP000012473
SPP80N06S205
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 230V 56A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4233PBF
仓库库存编号:
IRFB4233PBF-ND
别名:SP001577810
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V,
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