规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715Z
仓库库存编号：
IRL3715Z-ND
别名：*IRL3715Z
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZL
仓库库存编号：
IRL3715ZL-ND
别名：*IRL3715ZL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9910TR
仓库库存编号：
IRF9910TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRL
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRR
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9910
仓库库存编号：
IRF9910-ND
别名：*IRF9910
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7807ZPBF
仓库库存编号：
IRLU7807ZPBF-ND
别名：*IRLU7807ZPBF
SP001568878
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3715ZPBF
仓库库存编号：
IRLU3715ZPBF-ND
别名：*IRLU3715ZPBF
SP001573148
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZCLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZCLPBF-ND
别名：*IRL3715ZCLPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSPBF-ND
别名：SP001550328
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZLPBF-ND
别名：*IRL3715ZLPBF
SP001558032
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715ZPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZPBF-ND
别名：*IRL3715ZPBF
SP001552574
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZCSPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZTRPBF
仓库库存编号：
IRLR3715ZPBFCT-ND
别名：*IRLR3715ZTRPBF
IRLR3715ZPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 107W（Tc） D2PAK
型号：
PHB78NQ03LT,118
仓库库存编号：
PHB78NQ03LT,118-ND
别名：934056889118
PHB78NQ03LT /T3
PHB78NQ03LT /T3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK
型号：
PHD78NQ03LT,118
仓库库存编号：
PHD78NQ03LT,118-ND
别名：934056888118
PHD78NQ03LT /T3
PHD78NQ03LT /T3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
型号：
PHU78NQ03LT,127
仓库库存编号：
PHU78NQ03LT,127-ND
别名：934058326127
PHU78NQ03LT
PHU78NQ03LT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZCPBF
仓库库存编号：
IRLR7807ZCPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSTRRP
仓库库存编号：
IRL3715ZCSTRRP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZCTRRP
仓库库存编号：
IRLR7807ZCTRRP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZCTRLP
仓库库存编号：
IRLR3715ZCTRLPCT-ND
别名：IRLR3715ZCTRLPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSTRLP
仓库库存编号：
IRL3715ZCSTRLP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF8910GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8910GTRPBFCT-ND
别名：IRF8910GTRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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