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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3443BT1G
  仓库库存编号：NTGS3443BT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6963BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6963BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6963BDQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4810NT4G
  仓库库存编号：NTD4810NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4810NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3867DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3867DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4804BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4804BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4830ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4834BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4834BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV16UN,215
  仓库库存编号：568-7533-1-ND
  别名：568-7533-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8652-TL-H
  仓库库存编号：ECH8652-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 8A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3418EEV-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ3418EEV-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ3418EEV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET P-CH 20V 3.5A SCH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1W（Ta） 6-SCH
  
  型号：SCH1343-TL-H
  仓库库存编号：SCH1343-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8801AL
  仓库库存编号：AO8801AL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 1.7W（Ta） 8-DFN（3x2）
  
  型号：AON4705L
  仓库库存编号：AON4705L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34.5A（Tc） 34.7W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7246_101
  仓库库存编号：AON7246_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715Z
  仓库库存编号：IRLR3715Z-ND
  别名：*IRLR3715Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715ZTR
  仓库库存编号：IRLR3715ZTR-ND
  别名：SP001558456
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715ZTRL
  仓库库存编号：IRLR3715ZTRL-ND
  别名：SP001558946
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715ZTRR
  仓库库存编号：IRLR3715ZTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807ZTR
  仓库库存编号：IRF7807ZTR-ND
  别名：SP001572296
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807Z
  仓库库存编号：IRF7807Z-ND
  别名：*IRF7807Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7807ZTR
  仓库库存编号：IRLR7807ZTR-ND
  别名：SP001558476
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3715ZS
  仓库库存编号：IRL3715ZS-ND
  别名：*IRL3715ZS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3715ZCS
  仓库库存编号：IRL3715ZCS-ND
  别名：*IRL3715ZCS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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