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• ON Semiconductor
  T8 60V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta）, 250A（Tc） 3.3W（Ta）, 160W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5H600NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5H600NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5H600NLT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7904TRPBF
  仓库库存编号：IRF7904TRPBFCT-ND
  别名：IRF7904TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9910TRPBF
  仓库库存编号：IRF9910PBFCT-ND
  别名：*IRF9910TRPBF
  IRF9910PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF8910TRPBF
  仓库库存编号：IRF8910PBFCT-ND
  别名：*IRF8910TRPBF
  IRF8910PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7972DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7972DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7972DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 570mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：AO7417
  仓库库存编号：AO7417-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT563
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-563/SCH6
  
  型号：SCH1345-TL-H
  仓库库存编号：SCH1345-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8801A
  仓库库存编号：AO8801A-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4810NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD4810NT4G-VF01-ND
  别名：NVD4810NT4G
  NVD4810NT4G-ND
  NVD5862NT4G-VF01
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5404BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5404BDC-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7872DP-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7872DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7212DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7212DN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7212DN-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 40A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD55NH2LLT4
  仓库库存编号：497-4104-1-ND
  别名：497-4104-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.3A 1.2W Surface Mount SuperSOT?-6 FLMP
  
  型号：FDC6000NZ
  仓库库存编号：FDC6000NZCT-ND
  别名：FDC6000NZ_NLCT
  FDC6000NZ_NLCT-ND
  FDC6000NZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.6）
  
  型号：FDZ293P
  仓库库存编号：FDZ293P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4810N-1G
  仓库库存编号：NTD4810N-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4810N-35G
  仓库库存编号：NTD4810N-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.5）
  
  型号：FDZ493P
  仓库库存编号：FDZ493PCT-ND
  别名：FDZ493PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3867DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3867DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3867DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4804BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4804BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4804BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4830ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4830ADY-T1-E3CT
  SI4830ADYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4834BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4834BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4834BDY-T1-E3CT
  SI4834BDYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4974DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4974DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4974DY-T1-E3CT
  SI4974DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6963BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6963BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6963BDQ-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V,
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