品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRL6342TRPBF
仓库库存编号:
IRL6342TRPBFCT-ND
别名:IRL6342TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名:IRLTS6342TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807ZPBFCT-ND
别名:*IRF7807ZTRPBF
IRF7807ZPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRL6372TRPBF
仓库库存编号:
IRL6372TRPBFCT-ND
别名:IRL6372TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7904TRPBF
仓库库存编号:
IRF7904TRPBFCT-ND
别名:IRF7904TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9910TRPBF
仓库库存编号:
IRF9910PBFCT-ND
别名:*IRF9910TRPBF
IRF9910PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8910TRPBF
仓库库存编号:
IRF8910PBFCT-ND
别名:*IRF8910TRPBF
IRF8910PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715Z
仓库库存编号:
IRLR3715Z-ND
别名:*IRLR3715Z
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTR
仓库库存编号:
IRLR3715ZTR-ND
别名:SP001558456
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTRL
仓库库存编号:
IRLR3715ZTRL-ND
别名:SP001558946
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTRR
仓库库存编号:
IRLR3715ZTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ZTR
仓库库存编号:
IRF7807ZTR-ND
别名:SP001572296
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807Z
仓库库存编号:
IRF7807Z-ND
别名:*IRF7807Z
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTR
仓库库存编号:
IRLR7807ZTR-ND
别名:SP001558476
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZS
仓库库存编号:
IRL3715ZS-ND
别名:*IRL3715ZS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZCS
仓库库存编号:
IRL3715ZCS-ND
别名:*IRL3715ZCS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715Z
仓库库存编号:
IRL3715Z-ND
别名:*IRL3715Z
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715ZL
仓库库存编号:
IRL3715ZL-ND
别名:*IRL3715ZL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9910TR
仓库库存编号:
IRF9910TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZSTRL
仓库库存编号:
IRL3715ZSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZSTRR
仓库库存编号:
IRL3715ZSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9910
仓库库存编号:
IRF9910-ND
别名:*IRF9910
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7807ZPBF
仓库库存编号:
IRLU7807ZPBF-ND
别名:*IRLU7807ZPBF
SP001568878
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3715ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3715ZPBF-ND
别名:*IRLU3715ZPBF
SP001573148
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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