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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.47A(Ta) 740mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG3420U-7
仓库库存编号:
DMG3420U-7DICT-ND
别名:DMG3420U-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 430mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN2065UW-7
仓库库存编号:
DMN2065UW-7DICT-ND
别名:DMN2065UW-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1421EDH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1421EDH-T1_GE3CT-ND
别名:SQ1421EDH-T1_GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
型号:
CSD85301Q2T
仓库库存编号:
296-38668-1-ND
别名:296-38668-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN308P
仓库库存编号:
FDN308PFSCT-ND
别名:FDN308PFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1.6W(Ta) 6-WCSPC(1.5x1.0)
型号:
SSM6K781G,LF
仓库库存编号:
SSM6K781GLFCT-ND
别名:SSM6K781GLFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.7W Surface Mount 8-SO
型号:
STS8DN3LLH5
仓库库存编号:
497-10391-1-ND
别名:497-10391-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.76A(Tc) 1.92W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV56XN,215
仓库库存编号:
568-6540-1-ND
别名:568-6540-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5850
仓库库存编号:
IRF5850-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5850TR
仓库库存编号:
IRF5850TR-ND
别名:SP001564468
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
IRF5850TRPBF
仓库库存编号:
IRF5850TRPBFCT-ND
别名:IRF5850TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V,
无铅
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