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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7317DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7317DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7317DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 1.6W(Ta),24W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH8R903NL,LQ
仓库库存编号:
TPH8R903NLLQCT-ND
别名:TPH8R903NLLQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3025LSD-13
仓库库存编号:
DMC3025LSD-13DICT-ND
别名:DMC3025LSD-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 1W(Tc) 8-SOP
型号:
TP89R103NL,LQ
仓库库存编号:
TP89R103NLLQCT-ND
别名:TP89R103NLLQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD6N65M2
仓库库存编号:
497-15049-1-ND
别名:497-15049-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU6N65M2
仓库库存编号:
497-15044-5-ND
别名:497-15044-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N65M2
仓库库存编号:
497-15035-5-ND
别名:497-15035-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N65M2
仓库库存编号:
497-15047-1-ND
别名:497-15047-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y72-80EX
仓库库存编号:
1727-1894-1-ND
别名:1727-1894-1
568-11627-1
568-11627-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP6N65M2
仓库库存编号:
497-15040-5-ND
别名:497-15040-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 1W(Ta),19W(Tc) IPAK/TP
型号:
SFT1443-W
仓库库存编号:
SFT1443-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1W(Ta),19W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1443-TL-W
仓库库存编号:
SFT1443-TL-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 70W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY3N60P
仓库库存编号:
IXTY3N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N60P
仓库库存编号:
IXTP3N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 70W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N60P
仓库库存编号:
IXTA3N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9A(Ta) 1W(Ta),19W(Tc) TP
型号:
SFT1443-H
仓库库存编号:
SFT1443-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9A(Ta) 1W(Ta),19W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1443-TL-H
仓库库存编号:
SFT1443-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1443-TL-HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 55V 12.9A(Tc) 23W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX20N06T,127
仓库库存编号:
PHX20N06T,127-ND
别名:934057814127
PHX20N06T
PHX20N06T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.8nC @ 10V,
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