规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(13)
分立半导体产品
(13)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Infineon Technologies (3)
Rohm Semiconductor (3)
STMicroelectronics (2)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17507Q5A
仓库库存编号:
296-27791-1-ND
别名:296-27791-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS215PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS215PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS215P H6327CT
BSS215P H6327CT-ND
BSS215PH6327XTSA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 780mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6302GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML6302GTRPBFCT-ND
别名:IRLML6302GTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
型号:
TT8K1TR
仓库库存编号:
TT8K1CT-ND
别名:TT8K1TRCT
TT8K1TRCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K345R,LF
仓库库存编号:
SSM3K345RLFCT-ND
别名:SSM3K345RLFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
型号:
SSM6N61NU,LF
仓库库存编号:
SSM6N61NULFCT-ND
别名:SSM6N61NULFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.4W(Tc) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL6N3LLH6
仓库库存编号:
497-13651-1-ND
别名:497-13651-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
型号:
TT8M3TR
仓库库存编号:
TT8M3CT-ND
别名:TT8M3TRCT
TT8M3TRCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
型号:
TT8M1TR
仓库库存编号:
TT8M1CT-ND
别名:TT8M1TRCT
TT8M1TRCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT6N3LLH6
仓库库存编号:
497-13591-1-ND
别名:497-13591-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 350mW(Ta) SC-70-6
型号:
AO7412
仓库库存编号:
785-1090-2-ND
别名:785-1090-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.6A(Ta) 1.39W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6704
仓库库存编号:
785-1080-1-ND
别名:785-1080-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS215PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS215PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS215P L6327CT
BSS215P L6327CT-ND
BSS215PL6327
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号