品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7530TRPBF
仓库库存编号:
IRF7530TRPBFCT-ND
别名:IRF7530TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3709ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 87A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709ZPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZPBF-ND
别名:*IRF3709ZPBF
SP001564614
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8736TRPBF
仓库库存编号:
IRF8736TRPBFCT-ND
别名:IRF8736TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7910TRPBF
仓库库存编号:
IRF7910TRPBFCT-ND
别名:IRF7910TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名:SP001563134
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3303
仓库库存编号:
IRL3303-ND
别名:*IRL3303
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303S
仓库库存编号:
IRL3303S-ND
别名:*IRL3303S
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4007
仓库库存编号:
94-4007-ND
别名:*IRLR3303
IRLR3303
IRLR3303-ND
Q811927
SP001519058
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811A
仓库库存编号:
IRF7811A-ND
别名:*IRF7811A
SP001565580
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811ATR
仓库库存编号:
IRF7811ATR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TR
仓库库存编号:
IRLR3303TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3303
仓库库存编号:
IRLU3303-ND
别名:*IRLU3303
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7530TR
仓库库存编号:
IRF7530CT-ND
别名:IRF7530
IRF7530CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRL3303L
仓库库存编号:
IRL3303L-ND
别名:*IRL3303L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3303D1
仓库库存编号:
IRL3303D1-ND
别名:*IRL3303D1
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1S
仓库库存编号:
IRL3303D1S-ND
别名:*IRL3303D1S
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1STRL
仓库库存编号:
IRL3303D1STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRL
仓库库存编号:
IRL3303STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRR
仓库库存编号:
IRL3303STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRL
仓库库存编号:
IRLR3303TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRR
仓库库存编号:
IRLR3303TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),49A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MQ
型号:
94-3250
仓库库存编号:
94-3250CT-ND
别名:*IRF6604
IRF6604CT
IRF6604CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709Z
仓库库存编号:
IRFR3709Z-ND
别名:*IRFR3709Z
SP001555082
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCS
仓库库存编号:
IRF3709ZCS-ND
别名:*IRF3709ZCS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V,
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