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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA427ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA427ADJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA427DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA427DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA427DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y4R8-60E,115
仓库库存编号:
1727-1503-1-ND
别名:1727-1503-1
568-10983-1
568-10983-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRL
仓库库存编号:
IRLR8103TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRR
仓库库存编号:
IRLR8103TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.8A(Ta) 930mW(Ta) 8-TSSOP
型号:
NTQS6463R2
仓库库存编号:
NTQS6463R2OS-ND
别名:NTQS6463R2OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) I-Pak
型号:
NTD32N06L-001
仓库库存编号:
NTD32N06L-001OS-ND
别名:NTD32N06L-001OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK
型号:
NTD32N06LT4G
仓库库存编号:
NTD32N06LT4GOS-ND
别名:NTD32N06LT4GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD32N06L
仓库库存编号:
NTD32N06L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) I-Pak
型号:
NTD32N06L-1G
仓库库存编号:
NTD32N06L-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK
型号:
NTD32N06LG
仓库库存编号:
NTD32N06LG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.3A(Ta) 1.35W(Ta) 8-SO
型号:
SI4403BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4403BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4403BDY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.3A(Ta) 1.35W(Ta) 8-SO
型号:
SI4403BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403BDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4401DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4401DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4401DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4401DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4401DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103
仓库库存编号:
IRLR8103-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103TR
仓库库存编号:
IRLR8103TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
含铅
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MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-263-5
型号:
IRLBD59N04ETRLP
仓库库存编号:
IRLBD59N04ETRLP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 5V,
无铅
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